纳米技术

纳米技术也能运用于网游?游戏业10大新趋势

01-29
多玩网讯(编译/Drdarknight)游戏业应该算是IT业中最为日新月异的一个分支了.各种新技术,新概念都有可能在这个行业内一举成名.以下就是10个最前卫且最有潜力能让这个行业再次发生变革的技术和概念,这些概念不论是从创意角度还是从经济角度来看都无疑是最为适时的点子,下面就让我们一起来看下有哪些吧. 游戏设计的云计算 如果说"云计算"对你来说已经不是个新鲜玩意的话,那么你一定是被天朝商人最擅长的玩弄技术名词的手段给忽悠了,要知道小编上次还见过一款网游信誓旦旦地声称自己运用了纳米技术呢

纳米技术用于化妆品可阻挡紫外线

01-08
纳米技术用于化妆品可阻挡紫外线 石原产业日前成功地开发出了厚度为0.75nm.直径约为1-3μm的薄片状二氧化钛(TiO2)的制造技术.由于二氧化钛粉末具有屏蔽紫外线(UV)的作用,一直添加于很多化妆品中.而这些粉末基本上都为粒子状,但通过使用此次开发出的薄片状粉末,就能够以更少的用量得到更高的UV屏蔽效果.另外,擦在肌肤上的化妆品的"均匀性" 及附着性也更强. 此次新开发的生产工艺由以下5个工艺流程构成:层状钛酸合成:剥离反应:喷雾干燥(SprayDryi ng):焙烧:粉碎.在层状

中芯国际宁先捷:65纳米技术国际领先

01-08
宁先捷创业感言:在半导体芯片行业,国内企业与国际厂商最大的差距还是人才储备,比培养人才更难的是留住人才.北京市以及开发区对人才的重视解除了高科技企业的后顾之忧,对于归国的海外学人来说,最重要的就是感到受重视. 本报记者 刘宇鑫 虎年春节,宁先捷终于和家人一起过了年.身为中芯国际集成电路制造(北京)有限公司技术开发中心负责人,他此前三个春节几乎都是在车间里度过的.是什么让中芯国际从海外请来的这位技术大腕以厂为家,即使过年也要坚守岗位? 宁先捷和他的研发团队历经三个寒暑,终于使中芯国际的65纳米半导

英特尔大连芯片厂将采用65纳米技术

01-08
本报讯(记者/程鹏)英特尔公司近日宣布,正在建设中的大连芯片厂将采用65纳米制程技术.这座晶圆厂投资25亿美元,将在2010年建成投产,它也是英特尔在亚洲建立的首个300毫米晶圆制造工厂. 65纳米制程技术是目前美国政府批准可采用的最高级别的生产技术,而300毫米是半导体行业最先进的晶圆尺寸标准.未来大连芯片厂制造的芯片组将面向全球市场,应用在英特尔新型和主流CPU平台上,为最新型的笔记本和台式机,包括为流行的超薄型和经济型笔记本电脑产品提供支持. 目前,大连芯片厂的建设正在按计划稳步推进,雇佣

中芯国际65纳米技术进入量产阶段

01-08
8月3日下午消息,中芯国际(NYSE:SMI)今天宣布,自2009年第三季开始在中芯国际北京12寸厂生产的65纳米技术晶圆出货累计已超过1万片,目前已成功进入量产. 中芯目前拥有超过10个FOT (Foundry Owned-Tooling)和 COT(Customer Owned-Tooling) 客户在各个开发以及生产阶段.目前涉及的产品应用包括WiFi.蓝牙.高清电视.影音解码器.应用处理器以及TD-SCDMA芯片.除了中芯国际自主设计的IP,中芯完整的解决方案也包含了第三方IP. 从65

IBM和英特尔向纳米技术公司投资40亿美元

01-08
新浪科技讯 北京时间9月27日晚间消息,纽约州州长安德鲁·科莫(Andrew Cuomo)的发言人史蒂芬莫雷洛(Stephen Morello)周二在接受采访时表示,IBM和英特尔将向奥尔巴尼一家纳米技术初创公司投资40亿美元,州长本人将于今日宣布这一投资消息.(悠然)分享到:>>更多

纳米技术支撑 30秒充满手机电池

01-04
当下智能手机品牌与品种琳琅满目,用户最关心的是哪一个方面?性能配置不够?屏幕显示效果不佳?还是最关键的电池续航时间不长?笔者认为许多朋友更偏向于最后一点吧,因为手机没电了一切就都是白搭了,前一段时间 OPPO Find 7推出了一项VOOC快充技术,让充电时间大大减少,效果也非常出色.今天据<华尔街日报>报道,以色列一家新兴公司StoreDot就已经研发出了一种超级充电器,在30秒内即可将手机的电充满.该公司在微软的Think Next大会上首次向外界进行了展示,使用的样机是三星的GALAXY

中国22纳米技术获重大突破

01-04
我国在22纳米技术这一高端研发上有所建树--4年前,这会被看做是天方夜谭.然而,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心团队实现重大突破,让这一梦想成真.到目前为止,全球也只有英特尔公司在22纳米技术代实现了大规模生产.■本报记者 杨琪 实习生 姜天海中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心(以下简称先导工艺研发中心)通过4年的艰苦攻关,在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上,实现了重要突破,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs,器件性能